Samsung wprowadza masową produkcję pamięci DRAM HBM2
Samsung wprowadza masową produkcję pamięci DRAM HBM2
Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji pamięci DRAM HBM2 o pojemności 4 GB, co stanowi istotny krok w rozwoju technologii pamięci. Układy te są wytwarzane w procesie 20 nm i wykorzystują nowoczesną technologię Through Silicon Via, co pozwala na uzyskanie wyjątkowej wydajności.
Nowe moduły składają się z czterech 8-gigabitowych warstw, co umożliwia ponad 500 połączeń TSV. Tego rodzaju innowacje są kluczowe dla producentów kart graficznych, którzy poszukują efektywnych rozwiązań dla kompaktowych komputerów o wysokiej wydajności.
Koreański producent planuje również wprowadzenie kości 8 GB HBM2 jeszcze w tym roku, co odpowiada na rosnące zapotrzebowanie w segmencie systemów sieciowych i serwerów. Wzrost produkcji pamięci HBM2 jest odpowiedzią na oczekiwania rynku, co może zrewolucjonizować sposób przetwarzania obrazu w nowoczesnych technologiach.
Na podstawie: Źródła








