Samsung wprowadza rewolucyjne pamięci trójwymiarowe V-NAND

Samsung wprowadza rewolucyjne pamięci trójwymiarowe V-NAND

2013-08-09 07:45 Redakcja

Samsung zaprezentował nową generację pamięci flash, wykorzystującą innowacyjną technologię 3D V-NAND. Pojedyncze czipy oferują pojemność 128 gigabitów, co stanowi znaczący krok naprzód w dziedzinie pamięci komputerowej.

Nowe czipy opierają się na pionowej strukturze komórek, co pozwala na tworzenie trójwymiarowych układów pamięci. Dzięki technologii 3D Charge Trap Flash (CTF) oraz pionowemu wiązaniu, Samsung zrealizował możliwość łączenia warstw w bardziej kompaktowe formy.

Producent obiecuje, że V-NAND zapewni ponad dwukrotną miniaturyzację w porównaniu do tradycyjnej pamięci flash klasy 20 nm. Krzysztof Tarczyński, przedstawiciel firmy, zapowiedział dalszy rozwój produktów opartych na tej technologii, co może zrewolucjonizować rynek pamięci.

Najnowsze wiadomosci ⚡📰

Nie przegap żadnego trendu, hacka ani dramy w świecie marketingu! 🧠
Mamy już ponad 155 000 artykułów i codziennie dorzucamy 50–100 nowych perełek z SEO, PR, social mediów, reklam, AI i brandingu. Do tego wywiady, nowe narzędzia pozwalające dowieźć wyniki i nutka prawa oraz bezpieczeństwa. Wszystko podane w starupowym sosie, który nigdy sie nie nudzi.
Zapisz się teraz, a Twoja skrzynka stanie się potężniejsza niż raporty z Analyticsa.